融合现有存储单元与先进CMOS技术，实现投资效率最大化
全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已启动采用第九代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的512Gb三级单元(TLC)存储器件样品出货¹，并计划于2025财年开启量产。这些器件专为中低存储容量需求场景设计，可支持需要高性能、高功率效率的应用。它们还将集成到Kioxia的企业级固态硬盘(SSD)中，尤其适用于旨在最大程度提升AI系统中GPU效率的产品。
Kioxia始终秉持双管齐下的战略，在满足前沿应用多样化需求的同时，提供兼具竞争力与最优投资效率的产品。这两条战略轴线分别是：
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第九代BiCS FLASH™产品：通过采用CMOS直接键合至阵列(CBA)技术²，将现有存储单元技术³与最新CMOS技术集成，在降低生产成本的同时实现高性能。
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第十代BiCS FLASH™产品：通过增加存储层数，满足未来对大容量、高性能解决方案的预期需求。
新款第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC采用基于第五代BiCS FLASH™技术的120层堆叠工艺和先进CMOS技术开发，与Kioxia现有同为512Gb容量的BiCS FLASHTM产品⁴相比，性能显著提升，具体包括：
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写入性能：提升61%
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读取性能：提升12%
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功率效率：写入操作时提升36%，读取操作时提升27%
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数据传输速度：支持Toggle DDR6.0接口，实现3.6Gb/s⁵的高速NAND接口性能
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位密度：通过平面缩放技术提升8%
此外，Kioxia已证实，在演示环境中，这款512Gb TLC的NAND接口速度最高可达4.8Gb/s⁵。产品系列将根据市场需求确定。
Kioxia致力于加强全球合作伙伴关系，持续追求创新，为满足客户的多样化需求提供最优解决方案。
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这些样品用于功能测试，其规格可能与量产版本存在差异。
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一种技术，其中每个CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在其优化状态下分别制造，然后键合在一起。
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包括112层第五代BiCS FLASHTM和218层第八代BiCS FLASHTM技术。第九代BiCS FLASHTM新产品系列将根据型号选用其中一种技术。
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第六代BiCS FLASH™，采用了与本产品相同的512Gb TLC器件。
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1Gbps计算为1,000,000,000比特/秒。此数值是在我们特定的测试环境下获得的，可能会因使用条件而有所不同。
注：
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在每次提及Kioxia产品时：产品密度是根据产品内部存储芯片的密度确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在冗余数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可使用的容量会更少，且可能因主机设备和应用程序的不同而有所差异。详情请参考相关产品规格。1Gb定义为2^30比特=1,073,741,824比特。
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读写速度为Kioxia在特定测试环境下获得的最佳值，Kioxia不对单个设备的读写速度作出保证。实际读写速度可能因所用设备及读写文件大小而有所不同。
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公司名称、产品名称和服务名称可能第三方公司的商标。
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本文档中的信息（包括产品价格和规格、服务内容和联系信息）在公告发布之日是正确的，但如有更改，恕不另行通知。
关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。